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L1: 机箱外壳​

机箱主体框架

1U: 438×482×44mm
2U: 438×482×88mm
塔式: 各种尺寸

镀锌钢板/铝

支撑所有组件

整体框架

前面板

与机箱同宽，厚度1-2mm

塑料/金属

美观，进风，LED显示

机箱前部

顶盖

与机箱同尺寸，厚度0.8-1.2mm

钢板

防护，电磁屏蔽

机箱顶部

侧板

438×482×1mm (1U侧板)

钢板

防护，电磁屏蔽

机箱两侧

后窗

标准I/O开口尺寸

钢板/塑料

接口访问，通风

机箱后部

L2: 内部框架​

主板托盘

ATX: 305×244mm
EATX: 330×305mm

钢板

主板安装平面

机箱中部

硬盘背板支架

定制尺寸

钢板

固定硬盘背板

前部

电源支架

标准PSU尺寸

钢板

固定电源

后部

扩展卡支架

PCIe槽位对应

钢板

固定扩展卡

后部

风扇支架

与风扇尺寸匹配

钢板/塑料

固定风扇

前/中/后部

L3: 导轨与滑块​

导轨内轨

长度400-500mm

钢板

服务器抽拉轨道

机箱两侧

导轨外轨

长度400-500mm

钢板

机架固定部分

机架立柱

导轨中轨

长度400-500mm

钢板

中间滑动部分

内轨与外轨间

滑块轴承

直径6-8mm

POM/尼龙

减少摩擦

导轨内

导轨锁扣

尺寸20×30×10mm

锌合金

锁定位置

导轨端部

L4: 固定螺丝​

机箱自攻螺丝

M3×6mm

钢

钣金件固定

20-40个

主板固定螺丝

M3×5mm 带垫圈

钢

主板固定

6-9个

硬盘固定螺丝

M3×4mm

钢

2.5"/3.5"硬盘固定

8-24个

电源固定螺丝

M4×8mm

钢

电源固定

4个

风扇固定螺丝

M3×8mm 减震

钢+橡胶

风扇减震固定

4-8个/风扇

PCIe挡板螺丝

M3×4mm

钢

扩展卡固定

1-2个/卡

L5: 卡扣与锁​

侧板卡扣

15×20×5mm

塑料

快速拆卸侧板

2-4个

硬盘托架卡扣

10×15×3mm

塑料

硬盘快速安装

1个/托架

电源锁扣

20×25×8mm

锌合金

电源锁定

1个

前面板锁

25×30×10mm

锌合金

前面板锁定

1个

导轨释放杆

50×15×5mm

塑料

导轨释放

2个

L6: 垫片与减震​

主板铜柱

M3×6mm

黄铜

主板支撑

6-9个

减震胶垫

10×10×3mm

硅胶

减震，防滑

4-8个

橡胶减震圈

内径3mm，外径6mm

橡胶

风扇减震

4-8个/风扇

电磁屏蔽垫片

厚度0.5-1mm

导电泡棉

EMI屏蔽

若干

绝缘垫片

内径3mm，外径6mm

尼龙

电气绝缘

若干

L1: 主板PCB​

主板基板

ATX: 305×244mm
EATX: 330×305mm

6-8层FR4

承载所有元件

铜厚1-2oz，TG150+

阻焊层

覆盖整个PCB

绿色/黑色油墨

绝缘保护

厚度20-30μm

丝印层

字符标识

白色油墨

标识元件

线宽0.15mm

金手指

PCIe槽接口

镀金30μ"

连接接口

厚度0.8mm

L2: 内层结构​

信号层

6-8层

铜箔

信号传输

线宽/间距4/4mil

电源层

2-3层

铜箔

电源分布

铜厚2oz

地层

2-3层

铜箔

接地屏蔽

铜厚2oz

盲孔

直径0.2mm

铜镀孔

层间连接

深度比8:1

埋孔

直径0.2mm

铜镀孔

内层连接

深度比8:1

L3: CPU插槽​

LGA插槽

LGA 4189: 75×75mm
LGA 3647: 76×76mm

PBT塑料+铜合金

CPU电气连接

针数4189/3647

插槽针脚

直径0.3mm，高2mm

磷青铜镀金

电气接触

弹性行程0.5mm

插槽盖

80×80×5mm

塑料

运输保护

防静电

插槽压杆

50×10×5mm

锌合金

固定CPU

锁紧力30-50N

插槽底座

80×80×2mm

钢板

机械支撑

固定到主板

L4: CPU组件​

CPU芯片

尺寸可变(通常20×20mm)

硅

计算核心

工艺5-10nm

CPU基板

与插槽匹配

BT树脂/玻璃纤维

承载芯片，连接针脚

层数10-15

集成散热盖(IHS)

与CPU同尺寸

铜镀镍

散热，保护芯片

厚度0.8-1.2mm

导热材料

厚度0.1mm

钎料/导热膏

芯片与IHS间导热

导热系数>50W/mK

CPU电容阵列

0201/0402封装

MLCC

去耦，稳压

容值0.1-100μF

L5: 内存插槽​

DIMM插槽

133.35×7mm

PBT塑料+铜合金

内存条连接

288pin DDR4/5

插槽卡扣

20×10×5mm

塑料

固定内存条

锁紧力10-20N

插槽针脚

直径0.3mm

磷青铜镀金

电气接触

共288个

L6: 内存组件​

DRAM芯片

10×14×0.8mm

硅

数据存储

容量8-16Gb

内存PCB

133.35×31.25×1.2mm

8层FR4

承载DRAM芯片

铜厚1oz

SPD芯片

3×3×0.8mm

硅

存储配置信息

I2C接口

寄存器芯片

10×10×1mm

硅

缓冲地址命令

用于RDIMM

数据缓冲芯片

12×12×1mm

硅

缓冲数据信号

用于LRDIMM

去耦电容

0201封装(0.6×0.3mm)

MLCC

电源滤波

容值0.1μF

L1: PSU外壳​

PSU金属外壳

标准: 150×86×140mm

钢板

电磁屏蔽，结构支撑

厚度0.8mm

交流输入插座

IEC 60320 C14

塑料+金属

交流电输入

10A/250V

直流输出接口

定制接口

塑料+金属

直流电输出

12V/5V/3.3V

风扇格栅

80×80mm

钢板

防护，导风

开孔率>50%

状态指示灯

直径3mm

塑料+LED

电源状态指示

红/绿/黄

L2: 内部电路​

主PCB

尺寸依设计

FR4

承载所有元件

2-4层

整流桥

10×10×5mm

硅

交流转直流

600V/10A

主开关管

TO-220封装

硅/氮化镓

高频开关

600V/20A

主变压器

40×40×25mm

铁氧体+铜线

电压变换

频率50-100kHz

输出滤波电感

20×20×15mm

铁氧体+铜线

滤波

电流20-30A

输出滤波电容

10×20mm

电解液+铝箔

滤波

16V/2200μF

L3: 电压调节​

VRM电感

10×10×8mm

铁氧体+铜线

储能滤波

电流30-50A

VRM MOSFET

5×6×1mm

硅

开关调节

30V/50A

VRM控制器

4×4×1mm

硅

控制PWM

多相控制

输出电容阵列

0805封装(2×1.2mm)

MLCC

高频滤波

容值22μF

电流检测电阻

2512封装(6.3×3.2mm)

锰铜

电流检测

阻值1mΩ

L4: 电源连接​

24pin主板连接器

51×10×10mm

塑料+铜合金

主板主供电

24针

8pin CPU连接器

21×10×10mm

塑料+铜合金

CPU供电

8针

PCIe 8pin连接器

21×10×10mm

塑料+铜合金

GPU供电

8针

SATA电源连接器

15×8×8mm

塑料+铜合金

存储设备供电

15针

4pin Molex连接器

21×8×8mm

塑料+铜合金

外围设备供电

4针

L1: HDD机械结构​

盘片

直径95mm(3.5")

玻璃/铝+磁性材料

数据存储

厚度0.635mm

读写磁头

1×0.5×0.2mm

陶瓷+磁性材料

数据读写

飞行高度10nm

音圈电机

直径20mm

铜线+磁铁

磁头定位

定位精度nm级

主轴电机

直径30mm

铜线+磁铁

盘片旋转

转速5400-15000RPM

硬盘外壳

101.6×146×26.1mm

铝

密封保护

厚度1mm

L2: SSD结构​

NAND闪存芯片

11.5×13×0.8mm

硅

数据存储

64-512层3D NAND

SSD控制器

10×10×1mm

硅

闪存管理

PCIe 4.0/5.0

DRAM缓存

8×10×1mm

硅

映射表缓存

容量512MB-2GB

SSD PCB

100×70×1.2mm

FR4

承载芯片

6层

SSD外壳

100×70×7mm

铝

散热，保护

厚度0.8mm

L3: 硬盘背板​

背板PCB

尺寸依设计

FR4

连接硬盘与主板

4-8层

SAS/SATA连接器

7×15×10mm

塑料+铜合金

硬盘接口

7+15针

电源连接器

4×10×8mm

塑料+铜合金

硬盘供电

4针

中继芯片

10×10×1mm

硅

信号中继

SAS Expander

LED指示灯

直径3mm

塑料+LED

硬盘状态

红/绿/蓝

L4: 硬盘托架​

托架主体

146×101×26mm

钢板/塑料

固定硬盘

厚度1mm

减震胶垫

10×10×3mm

硅胶

减震

硬度30 Shore A

锁定卡扣

15×10×3mm

塑料

快速安装

锁紧力5-10N

手柄

30×10×5mm

塑料

抽取硬盘

带LED窗口

L1: 风扇整体​

轴流风扇

40/60/80/92/120mm

塑料+电机

强制对流

转速2000-15000RPM

风扇框架

外径+厚度

PBT塑料

支撑结构

厚度10-15mm

扇叶

叶片数5-11

PBT塑料

推动空气

倾角20-40度

风扇电机

直径20-30mm

铜线+磁铁

驱动扇叶

无刷直流

驱动PCB

直径20-30mm

FR4

电机控制

霍尔传感器

L2: 风扇细节​

滚珠轴承

直径6-8mm

钢+陶瓷球

支撑转子

寿命5万小时

含油轴承

直径6-8mm

铜合金+油

低成本支撑

寿命3万小时

磁铁环

直径20-25mm

钕铁硼

转子磁极

磁通密度>1T

定子线圈

线径0.2mm

铜线

产生磁场

电阻5-10Ω

霍尔传感器

2×2×1mm

硅

检测位置

灵敏度50mV/G

L3: 散热器主体​

铝挤散热器

100×100×50mm

铝合金6063

扩展表面积

鳍片厚度1mm

铜底散热器

40×40×5mm

纯铜

高导热基底

导热系数400W/mK

热管

直径6mm

铜+工作液

快速导热

导热能力>50W

均热板

40×40×3mm

铜+毛细结构

二维均热

导热能力>100W

鳍片阵列

厚度0.2-0.5mm

铝/铜

增加表面积

间距1.5-3mm

L4: 散热附件​

导热膏

厚度0.1mm

硅油+陶瓷/金属

填补间隙

导热系数>5W/mK

导热垫

厚度0.5-2mm

硅胶+陶瓷

绝缘导热

导热系数>3W/mK

扣具

尺寸依设计

钢/塑料

固定散热器

压力30-50N

风扇卡扣

尺寸依设计

塑料

固定风扇

锁紧力5-10N

保护膜

与散热器同尺寸

PET

运输保护

厚度0.05mm

L1: 扩展卡PCB​

GPU卡PCB

267×111×1.6mm

FR4

承载GPU芯片

12-16层

网卡PCB

168×111×1.6mm

FR4

承载网卡芯片

6-8层

RAID卡PCB

168×64×1.6mm

FR4

承载RAID芯片

6-8层

PCIe金手指

长度依标准

铜镀金

插槽连接

厚度0.8mm

固定挡板

120×20×1mm

钢板

固定到机箱

厚度1mm

L2: 芯片与元件​

GPU芯片

尺寸依型号

硅

图形计算

工艺5-7nm

GPU显存

14×12×1mm

硅

显存

GDDR6/GDDR6X

网卡PHY

10×10×1mm

硅

物理层

10/25/100GbE

RAID控制器

15×15×1mm

硅

RAID控制

PCIe 4.0

缓存芯片

8×10×1mm

硅

数据缓存

DDR4 1-4GB

L3: 网络接口​

RJ45插座

16×16×12mm

塑料+铜合金

以太网连接

8P8C

SFP+笼子

20×15×10mm

锌合金

光模块接口

支持10GbE

QSFP28笼子

30×20×15mm

锌合金

高速光模块

支持100GbE

网络变压器

10×10×8mm

铁氧体+铜线

信号隔离

1:1 变压器

L4: 管理接口​

USB Type-A

15×12×10mm

塑料+铜合金

通用接口

USB 3.2

VGA接口

16×10×10mm

塑料+铜合金

视频输出

15针

串口(DB9)

31×13×15mm

塑料+铜合金

串行通信

9针

IPMI接口

RJ45尺寸

塑料+铜合金

带外管理

专用网络

L1: 交流电源线​

IEC C13-C14线

长度1.8m

PVC+铜线

连接电源

3×0.75mm²

电源线插头

IEC C13/C14

塑料+铜合金

连接器

10A/250V

内部交流线

长度依设计

硅胶+铜线

内部交流配电

耐温105℃

交流输入连接器

特殊设计

塑料+铜合金

PSU交流输入

3针

L2: 直流电源线​

24pin ATX线

长度200-300mm

PVC+铜线

主板供电

18AWG

8pin EPS线

长度200-300mm

PVC+铜线

CPU供电

18AWG

PCIe电源线

长度200-300mm

PVC+铜线

GPU供电

16AWG

SATA电源线

长度200-300mm

PVC+铜线

存储供电

18AWG

Molex电源线

长度200-300mm

PVC+铜线

外围供电

18AWG

L3: 存储数据线​

SATA数据线

长度300-500mm

PVC+铜线

SATA连接

7针，6Gbps

SAS数据线

长度300-500mm

PVC+铜线

SAS连接

29针，12Gbps

Mini SAS HD线

长度300-500mm

PVC+铜线

高密SAS

36针，12Gbps

背板SAS线

长度150-250mm

PVC+铜线

主板到背板

特殊接口

L4: 管理线束​

前面板线束

长度200-300mm

PVC+铜线

前面板控制

20-30针

风扇线束

长度100-200mm

PVC+铜线

风扇供电控制

4-6针

温度传感器线

长度100-200mm

PVC+铜线

温度检测

2针

TPM模块线

长度50-100mm

PVC+铜线

安全模块连接

14-20针

L1: 电阻​

贴片电阻0201

0.6×0.3×0.23mm

陶瓷+金属膜

限流分压

阻值0Ω-10MΩ

贴片电阻0402

1.0×0.5×0.35mm

陶瓷+金属膜

限流分压

阻值0Ω-10MΩ

贴片电阻0603

1.6×0.8×0.45mm

陶瓷+金属膜

限流分压

阻值0Ω-10MΩ

贴片电阻0805

2.0×1.25×0.5mm

陶瓷+金属膜

限流分压

阻值0Ω-10MΩ

电流检测电阻

6.3×3.2×0.6mm

锰铜合金

电流检测

阻值1-100mΩ

L2: 电容​

MLCC 0201

0.6×0.3×0.3mm

陶瓷+电极

滤波去耦

容值0.5pF-1μF

MLCC 0402

1.0×0.5×0.5mm

陶瓷+电极

滤波去耦

容值1pF-10μF

钽电容A壳

3.2×1.6×1.6mm

钽+二氧化锰

大容量滤波

容值1-100μF

电解电容

直径8-10mm

铝箔+电解液

大容量滤波

容值100-1000μF

陶瓷电容

各种尺寸

陶瓷+电极

高频滤波

容值pF-nF级

L3: 电感​

功率电感

10×10×4mm

铁氧体+铜线

储能滤波

感值1-10μH

磁珠

1.6×0.8×0.8mm

铁氧体

高频噪声抑制

阻抗@100MHz

共模扼流圈

5×5×3mm

铁氧体+铜线

抑制共模噪声

感值10-100μH

变压器

10×10×5mm

铁氧体+铜线

电压变换隔离

变比依设计

L4: 集成电路​

BGA芯片

尺寸依芯片

硅+基板

各种功能

引脚数100-2000+

QFN封装

尺寸依芯片

硅+铜引线框

小尺寸IC

引脚数8-100

SOP封装

尺寸依芯片

硅+铜引线框

通用IC

引脚数8-28

TSOT封装

3×3×1mm

硅+铜引线框

小功率IC

引脚数5-8

晶振

2.5×2.0×0.8mm

石英+封装

时钟源

频率10-100MHz

L5: 分立器件​

MOSFET

3.3×3.3×0.8mm

硅

开关/放大

Rds(on)几mΩ

二极管

1.6×0.8×0.8mm

硅

整流/保护

耐压几十V

三极管

1.6×1.6×0.8mm

硅

放大/开关

电流几百mA

LED

1.6×0.8×0.6mm

砷化镓

指示灯

颜色RGB

保险丝

1.6×0.8×0.8mm

合金

过流保护

额定电流几A

L1: 产品标签​

型号标签

50×30mm

聚酯薄膜

产品型号标识

型号，规格

序列号标签

30×20mm

聚酯薄膜

唯一标识

SN: XXXXXX

资产标签

40×20mm

聚酯薄膜

资产管理

资产编号

规格标签

40×30mm

聚酯薄膜

技术规格

电压，功率等

认证标签

20×20mm

聚酯薄膜

认证标识

CE, FCC, UL等

L2: 警示标识​

高压警示

20×20mm

聚酯薄膜

高压警告

闪电符号

高温警示

20×20mm

聚酯薄膜

高温警告

火焰符号

静电警示

20×20mm

聚酯薄膜

防静电警告

手形符号

开盖警示

30×20mm

聚酯薄膜

开盖前断电

文字警告

激光警示

20×20mm

聚酯薄膜

激光警告

激光符号

L3: 指示标识​

电源按钮标识

直径10mm

塑料薄膜

电源按钮

电源符号

硬盘指示灯标识

3×3mm

塑料薄膜

硬盘状态

HDD符号

网络指示灯标识

3×3mm

塑料薄膜

网络状态

网络符号

USB标识

10×5mm

塑料薄膜

USB接口

USB符号

视频标识

10×5mm

塑料薄膜

视频接口

显示器符号

L1: 运输包装​

外包装纸箱

尺寸依产品

瓦楞纸

运输保护

厚度5-7层

内缓冲泡沫

尺寸依产品

EPE/EPP

缓冲防震

密度20-30kg/m³

珍珠棉袋

尺寸依产品

EPE

表面保护

厚度3-5mm

防静电袋

尺寸依产品

PE+防静电层

防静电

表面电阻10⁶-10¹¹Ω

干燥剂袋

50×50mm

纸+硅胶

防潮

吸湿率>20%

L2: 附件包装​

螺丝包

50×50mm

PE袋

包装螺丝

密封

线材包

100×100mm

PE袋

包装线材

密封

光盘袋

120×120mm

PP

包装光盘

透明

手册袋

200×150mm

PP

包装文档

透明

附件箱

200×150×50mm

纸盒

包装所有附件

带隔断

结构件​

机箱与框架

20-30个

包括所有钣金件

紧固件

100-200个

各种螺丝、卡扣

连接件

10-20个

导轨、滑块等

电子组件​

主板及元件

1块+数千元件

主板本身含大量微小元件

CPU及散热

1-4套

每套包括CPU、散热器、扣具

内存

4-16条

每条含多个DRAM芯片

扩展卡

1-4块

每块含多个芯片元件

电源单元

1-2个

每个含数百元件

存储设备​

硬盘/SSD

4-24个

每个含多个内部零件

存储背板

1-2块

每块含连接器和芯片

散热系统​

风扇

4-8个

每个含多个部件

散热器

1-4个

CPU/芯片组散热

线缆​

电源线

5-10条

各种电源线

数据线

5-15条

各种数据线

管理线

5-10条

控制、传感器线

标识标签​

各种标签

10-20个

产品、警示、指示标签

总计​

所有类别​

>5000个零件​

包括所有微观电子元件

处理器​

CPU

LGA 4189/3647, 尺寸约75×75mm

中央处理器

Intel Xeon, AMD EPYC

芯片组

37.5×37.5mm FCBGA

平台控制器

Intel C621, AMD SP3

基板管理控制器(BMC)

23×23mm BGA

服务器管理

ASPEED AST2600

内存控制​

内存寄存器

14×14mm BGA

寄存时钟驱动

Texas Instruments SN65MLVD204

数据缓冲器

14×14mm BGA

数据缓冲

Texas Instruments SN65MLVD205

存储控制​

SATA控制器

10×10mm QFN

SATA接口控制

ASMedia ASM1061

SAS控制器

23×23mm BGA

SAS接口控制

Broadcom SAS3008

NVMe控制器

12×12mm BGA

PCIe to NVMe

Microchip PM8068

网络接口​

以太网控制器

19×19mm BGA

网络接口控制

Intel X550

网络PHY

10×10mm QFN

物理层接口

Marvell 88E1512

电源管理​

PWM控制器

4×4mm QFN

多相PWM控制

Intersil ISL69137

电源监控芯片

3×3mm DFN

电压电流监控

LTC2991

热插拔控制器

4×4mm QFN

热插拔控制

TPS2491

时钟电路​

时钟发生器

5×5mm QFN

系统时钟生成

9FGV1001

时钟缓冲器

3×3mm QFN

时钟分发

9DBV0141

接口扩展​

PCIe交换机

23×23mm BGA

PCIe通道扩展

Microchip PEX8732

USB控制器

8×8mm QFN

USB接口控制

VIA VL817

传感器​

温度传感器

2×2mm DFN

温度检测

MAX6602

湿度传感器

3×3mm DFN

湿度检测

HDC2010

板对板​

内存插槽

133.35×7mm

288

内存条连接

PCIe插槽

89×11mm (x16)

164

扩展卡连接

M.2插槽

22×80mm (M.2 2280)

75

M.2 SSD连接

U.2连接器

29.85×19.5mm

SFF-8639

U.2 SSD连接

风扇接头

4.5×2.5mm

4

风扇连接

前面板接头

20×2.54mm

20

前面板控制

USB 3.0接头

13.5×4.5mm

20

内部USB连接

SATA数据接口

7×4.5mm

7

SATA设备连接

ATX 24针电源接口

21.8×6.5mm

24

主板主供电

CPU 8针电源接口

21.8×4.2mm

8

CPU辅助供电

过流保护​

自恢复保险丝

1210封装 (3.2×2.5mm)

过流保护，可恢复

动作电流0.5-5A

熔断保险丝

1206封装 (3.2×1.6mm)

过流保护，不可恢复

额定电流1-10A

过压保护​

TVS二极管

SOD-123封装 (2.7×1.6mm)

瞬态电压抑制

工作电压5-30V

ESD保护二极管

0201封装 (0.6×0.3mm)

静电放电保护

击穿电压5-15V

防反接​

肖特基二极管

SMA封装 (5.2×2.8mm)

防止电源反接

电流1-5A

MOSFET防反接

SO-8封装 (5.0×4.4mm)

低损耗防反接

Rds(on)几mΩ

指示灯LED​

0805封装LED

2.0×1.25×0.8mm

红/绿/蓝/黄

状态指示

3mm直插LED

直径3mm，高5mm

红/绿/蓝/黄

电源/硬盘指示

侧发光LED

1.6×0.8×0.6mm

白光

背光照明

光耦​

4脚光耦

5.3×4.0×2.0mm

红外850nm

隔离信号传输

高速光耦

7.0×4.0×2.5mm

红外850nm

高速隔离通信

光纤接口​

SFP+光模块

56.5×13.5×8.5mm

850nm/1310nm/1550nm

10GbE光通信

光纤连接器

直径2.5mm/1.25mm

-

光纤连接

开关​

电源开关

12×12×7mm

电源控制

寿命10万次

复位开关

6×6×5mm

系统复位

寿命5万次

微动开关

6.5×6.5×5mm

检测开闭

寿命10万次

拨码开关

5.2×4.2×2.5mm

设置选择

4-8位

继电器​

信号继电器

14.5×9.5×9.5mm

小信号切换

线圈电压5V/12V

功率继电器

28×15×15mm

功率切换

触点电流10A

蜂鸣器​

有源蜂鸣器

直径12mm，高9mm

声音报警

电压5V，声压85dB

无源蜂鸣器

直径12mm，高9mm

可编程发声

频率2-4kHz

温度​

热敏电阻

0402封装 (1.0×0.5mm)

-40℃~125℃

模拟

数字温度传感器

3×3mm DFN

-55℃~125℃

I2C

红外温度传感器

3×3×1mm

-40℃~85℃

I2C

湿度​

数字湿度传感器

3×3×1mm

0-100% RH

I2C

压力​

气压传感器

2×2×0.8mm

300-1100hPa

I2C

位置​

霍尔传感器

2×2×0.8mm

检测磁场

数字输出

振动​

加速度计

3×3×1mm

±2g~±16g

I2C/SPI

基材​

FR-4板材

厚度1.6mm，TG150

主板PCB

玻璃纤维环氧树脂

高频板材

Rogers 4350B

高频信号部分

低损耗，高频率

柔性电路板

聚酰亚胺基材

连接可动部分

可弯曲

覆铜​

电解铜箔

厚度18μm/35μm

导电层

1oz/2oz铜厚

阻焊​

液态感光油墨

厚度20-30μm

绝缘保护

绿色/黑色/白色

表面处理​

化金(ENIG)

金厚0.05-0.1μm

焊接，接触

可焊性好

沉银

银厚0.1-0.3μm

焊接

成本较低

沉锡

锡厚0.8-1.2μm

焊接

防止氧化

OSP

有机保护膜

临时保护

成本最低

特殊工艺​

盲埋孔

孔径0.1mm

高密度互联

增加层间连接

盘中孔

焊盘上打孔

节省空间

需塞孔电镀

阻抗控制

线宽/间距控制

匹配阻抗

差分100Ω，单端50Ω

导热材料​

导热硅脂

导热系数>5W/mK

CPU/芯片散热

填充微小间隙

导热垫片

厚度0.5-5mm，导热系数>3W/mK

芯片散热

绝缘，可压缩

相变材料

相变温度45-60℃

高性能散热

相变时吸收热量

石墨烯导热片

厚度0.1-1mm，导热系数>1000W/mK

高导热需求

各向异性导热

粘接材料​

双面胶

厚度0.1-1mm

固定元件

丙烯酸/硅胶系

结构胶

剪切强度>10MPa

结构粘接

环氧树脂

瞬间胶

固化时间5-60秒

快速固定

氰基丙烯酸酯

密封材料​

密封胶

弹性，耐温-40~150℃

防水防尘

硅橡胶

密封圈

直径依设计，截面直径1-3mm

防水防尘

橡胶O型圈

绝缘材料​

绝缘纸

厚度0.1-0.5mm

电气绝缘

聚酰亚胺薄膜

绝缘套管

直径1-10mm

线束绝缘

聚氯乙烯

绝缘片

厚度0.1-1mm

芯片绝缘

聚酰亚胺/聚酯

SMT贴装​

电阻电容，IC等

锡膏印刷，贴片，回流焊

首件检验，SPI，AOI

贴片机，回流炉，AOI设备

THT插装​

连接器，大电容等

插件，波峰焊

视觉检查，电性测试

插件机，波峰焊机

分板​

拼板PCB

铣刀分板/V-cut分板

尺寸检查

分板机

组装​

结构件，散热器等

螺丝固定，粘接

机械尺寸，装配检查

螺丝刀，压机

线束装配​

各种线缆

压接，焊接，布线

导通测试，绝缘测试

压接钳，焊接台

老化测试​

整机

高温老化，负载测试

稳定性，性能测试

老化房，负载仪

终检​

整机

外观，功能，性能

全功能测试，烧机测试

测试台，测试软件

Level 1: 系统级​

机箱，主板，电源，硬盘等

20-50个

肉眼可见的大部件

Level 2: 模块级​

风扇，散热器，扩展卡等

50-100个

可独立更换的模块

Level 3: 组件级​

PCB，连接器，线束等

200-500个

需要工具拆卸的组件

Level 4: 元件级​

芯片，电阻，电容，电感等

3000-8000个

主板和扩展卡上的元件

Level 5: 辅助件​

螺丝，垫片，标签，包装等

100-300个

紧固件和标识

总计​

所有级别​

约4000-10000个零件​

根据服务器配置复杂度变化

晶圆基底​

硅衬底

直径300mm，厚度775μm

单晶硅(纯度>99.9999%)

Czochralski法

晶体管载体

外延层

厚度5-20μm

外延硅

CVD外延生长

优化电气性能

埋氧层(BOX)

厚度145nm-3μm

SiO₂

SIMOX或键合

SOI隔离层

掺杂区域​

N阱

深度1-3μm

磷/砷掺杂硅

离子注入

NMOS晶体管阱区

P阱

深度1-3μm

硼掺杂硅

离子注入

PMOS晶体管阱区

深N阱

深度5-10μm

磷/砷掺杂硅

高能离子注入

隔离保护

隔离阱

可变

不同掺杂类型

多次注入

噪声隔离

FinFET结构​

鳍高30-50nm

硅/锗硅

自对准双栅

鳍宽7nm，间距30nm

鳍宽5-10nm

应变硅

定向自组装

纵横比>5:1

栅长7-10nm

高K金属栅

替代金属栅

EOT≈0.9nm

栅极堆栈​

高K介电层

厚度1-2nm

HfO₂, Al₂O₃

ALD沉积

金属栅极

厚度5-10nm

TiN, TaN, TiAl

PVD沉积

栅极间隔层

厚度3-5nm

SiN, SiOCN

ALD沉积

源漏结构​

延伸区

深度10-20nm

掺杂硅

低能离子注入

深源漏

深度30-50nm

掺杂硅

高能离子注入

提升源漏

高度20-40nm

SiGe(PFET)/SiC(NFET)

外延生长

硅化物接触

厚度10-20nm

NiPtSi, TiSi₂

自对准硅化

前道接触​

接触孔

直径20-30nm

W/TiN

蚀刻+填充

晶体管到M1连接

接触衬里

厚度2-3nm

Ti, TiN

ALD沉积

粘附/扩散阻挡

接触插塞

直径20-30nm

W

CVD填充

电连接

后道金属​

M1金属线

宽度20-30nm

Cu, Co

双大马士革

第一层互连

金属衬里

厚度2-3nm

Ta, TaN

PVD/ALD

扩散阻挡

金属阻挡层

厚度1-2nm

Co, Ru

ALD沉积

电迁移防护

金属间隙填充

可变

SiOCH(k≈2.5)

CVD/旋涂

隔离绝缘

通孔

直径30-40nm

Cu

双大马士革

层间连接

顶部金属

宽度1-3μm

Al, Cu

单大马士革

电源/全局信号

钝化层

厚度1-2μm

SiN, SiO₂

PECVD

机械/化学保护

芯片连接​

微凸点

直径25-50μm

Cu/SnAg

电镀+回流

倒装芯片连接

微凸点UBM

厚度5-10μm

Cu, Ni

电镀

凸点下金属化

焊料帽

厚度10-20μm

SnAg, SnAgCu

印刷+回流

可焊性提升

底部填充

填充间隙

环氧树脂

毛细流动

应力缓解

基板结构​

封装基板

尺寸可变

ABF, BT树脂

积层工艺

芯片载体

基板线路

宽度/间距15/15μm

Cu

半加成法

信号传输

基板通孔

直径60-100μm

Cu

激光钻孔+电镀

层间连接

阻焊层

厚度20-30μm

感光油墨

印刷+曝光

线路保护

表面处理

厚度0.05-1μm

ENIG, ENEPIG

化学镀

可焊性/可靠性

散热结构​

热界面材料

厚度20-50μm

导热膏/相变

丝印/点胶

导热

散热盖

尺寸匹配

Cu镀Ni

冲压/机加工

散热/保护

盖下填充

厚度50-100μm

导热胶

点胶

固定+导热

2.5D封装​

硅中介层

尺寸可变

硅

硅工艺

高密度互连

TSV

直径5-10μm

Cu

深硅蚀刻+电镀

垂直连接

微凸点

直径10-20μm

Cu/Sn

电镀+回流

芯片-中介层连接

RDL

宽度/间距2/2μm

Cu

半导体工艺

再布线层

3D封装​

芯片堆叠

厚度50-100μm

硅

薄化工艺

垂直集成

混合键合

间距<10μm

Cu/SiO₂

直接键合

高密度互连

热通孔

直径20-50μm

Cu

电镀填充

垂直散热

Chiplet​

芯片桥接

尺寸可变

硅

嵌入式工艺

芯片间互连

封装内互连

宽度/间距5/5μm

Cu

半加成法

Chiplet连接

MLCC结构​

介电层

厚度0.5-2μm

BaTiO₃基陶瓷

流延工艺

介电常数1000-5000

内电极

厚度1-2μm

Ni, Cu

丝网印刷

导电性

端电极

厚度20-50μm

Ag, Cu镀Sn

浸镀/电镀

外部连接

保护层

厚度10-20μm

环氧树脂

涂覆

防潮/机械保护

钽电容结构​

钽粉芯

尺寸可变

钽粉

压制+烧结

高比表面积

介质层

厚度0.05-0.1μm

Ta₂O₅

阳极氧化

高介电常数

阴极层

厚度1-5μm

MnO₂

热分解

固体电解质

石墨层

厚度5-10μm

石墨

涂覆

界面层

银层

厚度5-10μm

Ag

涂覆

外电极连接

电解电容结构​

阳极箔

厚度50-100μm

蚀刻Al箔

电化学蚀刻

高表面积

介质层

厚度0.01-0.1μm

Al₂O₃

阳极氧化

绝缘介质

电解纸

厚度50-100μm

纤维素

造纸工艺

隔离+电解液保持

电解液

液体/凝胶

有机溶剂+溶质

混合

离子导电

阴极箔

厚度50-100μm

Al箔

轧制

电流收集

橡胶密封

厚度2-3mm

丁基橡胶

注塑

密封防漏

厚膜电阻​

陶瓷基板

96% Al₂O₃

流延+烧结

绝缘基底

电阻浆料

厚度10-20μm

RuO₂, AgPd

丝网印刷

方阻10Ω/□-1MΩ/□

保护玻璃

厚度20-30μm

玻璃釉

印刷+烧结

环境保护

端电极

厚度20-50μm

Ag, Cu

印刷+烧结

外部连接

薄膜电阻​

陶瓷基板

99.6% Al₂O₃

抛光

光滑表面

电阻薄膜

厚度50-100nm

NiCr, TaN

溅射

方阻100-300Ω/□

保护层

厚度1-2μm

SiO₂, Si₃N₄

PECVD

环境保护

调阻槽

宽度20-50μm

激光切割

激光调阻

精度调整

合金电阻​

电阻合金

厚度0.1-1mm

锰铜, 康铜

轧制

低温度系数

电极层

厚度10-20μm

Cu镀NiSn

电镀

可焊性

保护涂层

厚度50-100μm

环氧树脂

浸涂

机械/环境防护

标记层

厚度5-10μm

油墨

丝印

阻值标识

绕线电感​

磁芯

尺寸可变

铁氧体, 合金粉

压制+烧结

初始磁导率

绕组

线径0.1-1mm

铜漆包线

绕线

电感量

骨架

尺寸可变

PBT, 尼龙

注塑

绕线支撑

封装材料

厚度1-2mm

环氧树脂

注塑

环境保护

电极

厚度20-50μm

Cu镀Sn

电镀

外部连接

多层电感​

磁性层

厚度20-50μm

铁氧体浆料

流延工艺

高频特性

内电极

厚度2-5μm

Ag, Cu

丝印

螺旋绕组

端电极

厚度20-50μm

Ag, Cu镀Sn

浸镀

外部连接

保护层

厚度20-30μm

环氧树脂

涂覆

环境保护

磁珠结构​

磁芯

尺寸可变

铁氧体

压制+烧结

阻抗特性

导线

直径0.5-2mm

铜线

穿线

电流通道

封装

厚度1-2mm

环氧树脂

注塑

固定+保护

插针结构​

针径0.3-0.6mm

磷青铜, 铍铜

冲压+电镀

弹性, 耐磨

镀金层

厚度0.5-1.5μm

Au

电镀

镀镍底层

厚度1-2μm

Ni

电镀

弹性臂

厚度0.2-0.4mm

铍铜

冲压+成形

应力释放槽

宽度0.1-0.2mm

机械加工

防止应力集中

插座结构​

簧片厚度

0.1-0.3mm

铍铜

冲压+成形

接触点

半径0.1-0.3mm

Au镀层

电镀+成形

导向斜面

角度30-45°

机械加工

引导插合

保持结构

卡勾/倒刺

塑料/金属

注塑/冲压

连接器绝缘​

绝缘体

尺寸可变

LCP, PBT, PA

注塑

端子孔

公差±0.05mm

注塑模具

精密注塑

锁扣结构

尺寸可变

塑料/金属

注塑/冲压

差分对​

线对间距

0.5-1mm

控制阻抗

差分阻抗100Ω

中心距偏差

<±0.05mm

精密模具

保持对称性

共模抑制

结构设计

屏蔽设计

降低串扰

屏蔽结构​

屏蔽外壳

厚度0.2-0.5mm

Cu合金

冲压+电镀

屏蔽簧片

厚度0.1-0.2mm

铍铜

冲压+成形

屏蔽镀层

厚度1-2μm

Sn镀层

电镀

阻抗控制​

介电材料

εr≈3.5-4.0

LCP, PPE

注塑

空气间隙

控制填充率

结构设计

调节有效介电常数

接地平面

连续接地

Cu合金

冲压

玻璃纤维布​

单丝直径

5-9μm

E玻璃

熔融拉丝

经纬密度

每英寸数量

编织工艺

控制厚度

表面处理

硅烷偶联剂

浸渍处理

增强结合力

树脂系统​

环氧树脂

分子量分布

双酚A型

合成

固化剂

DICY, 酚醛

混合

固化反应

促进剂

咪唑类

添加

加速固化

填料

粒径1-5μm

SiO₂, Al₂O₃

混合

铜箔结构​

电解铜箔

厚度18-70μm

电解铜

电沉积

压延铜箔

厚度12-70μm

压延铜

轧制

粗糙化层

厚度2-5μm

Cu瘤状结构

电化学处理

防氧化层

厚度0.1-0.5μm

Zn, Cr, Ni

钝化处理

内层线路​

线宽/间距

3/3mil(75/75μm)

减成法

蚀刻因子>3

铜厚均匀性

±10%

电镀控制

电流密度分布

侧蚀控制

<线宽20%

蚀刻控制

蚀刻液配比

层压结构​

半固化片

厚度2-8mil

玻纤浸树脂

树脂含量, 流动度

层压对准

偏差<2mil

定位系统

销钉定位, 光学对位

压合参数

压力, 温度, 时间

热压机

树脂填充, 固化

钻孔工艺​

机械钻孔

孔径6-20mil

钻头转速, 进给

孔位精度, 孔壁质量

激光钻孔

孔径2-6mil

激光参数

锥度控制, 清洁度

孔金属化

化学铜厚0.3-0.5μm

化学沉铜

覆盖性, 结合力

电镀铜厚

孔内20-25μm

电镀铜

均匀性, 延展性

外层线路​

图形电镀

铜厚20-35μm

电镀增厚

均匀性, 结晶结构

锡铅保护

厚度5-10μm

电镀/喷锡

可焊性保护

最终蚀刻

去除未保护铜

碱性蚀刻

线宽控制, 侧蚀

螺丝头部​

头径

标准系列

冷镦成形

扭转强度

槽型

十字, 一字, 内六角

冲压成形

扭力传递

倒角

角度45°

车削/冲压

导向作用

螺纹部分​

螺纹外径

公差6g/6H

滚丝成形

螺距精度

牙型角

60°(公制)

滚丝轮设计

螺纹接触

螺距

标准系列

滚丝工艺

导程精度

牙底形状

圆弧/平底

滚丝轮设计

应力集中

杆部结构​

杆径

略小于螺纹小径

拉拔工艺

直径精度

退刀槽

宽度0.5-1mm

车削加工

螺纹收尾

导向锥

长度1-2倍螺距

车削加工

便于旋入

表面处理​

镀层类型

Zn, Ni, Sn

电镀工艺

防腐, 美观

镀层厚度

5-15μm

电镀控制

防腐性能

钝化层

厚度0.1-0.5μm

化学处理

增强防腐

润滑层

厚度1-5μm

浸涂/电泳

降低摩擦

板料​

厚度

0.8-2.0mm

SPCC, SECC

冷轧

表面处理

镀锌, 喷粉

电镀/喷涂

防腐

冲压特征​

加强筋

高度2-5mm

冲压成形

增加刚度

翻边孔

翻边高度2-3mm

冲压翻边

增加强度, 去毛刺

凸包

高度3-8mm

冲压成形

定位/加强

百叶窗

开口角度30-45°

冲压成形

通风散热

折弯结构​

折弯半径

0.5-2倍料厚

折弯成形

避免裂纹

折弯角度

公差±1°

折弯控制

尺寸精度

回弹控制

过折角度补偿

折弯工艺

角度精度

焊接结构​

点焊间距

20-50mm

电阻焊

连接强度

焊点直径

3√t (t为板厚)

焊接参数

剪切强度

焊缝长度

连续/间断

电弧焊

密封/强度

管壳​

外径

3-8mm

纯铜

拉拔成形

壁厚

0.2-0.5mm

厚度控制

拉拔工艺

毛细结构​

丝网目数

100-300目

铜网

编织

丝径

0.05-0.1mm

铜丝

拉拔

烧结粉末

粒径50-150μm

铜粉

烧结

沟槽结构

齿宽0.1-0.3mm

挤压成形

轴向槽道

工作流体​

流体类型

水, 氨, 丙酮

纯化

脱气处理

填充量

20-30%体积

精密注入

真空灌装

端盖结构​

端盖密封

焊接密封

铜盖

氩弧焊

抽真空管

外径1-2mm

铜管

封离

定子组件​

铁芯叠片

厚度0.35-0.5mm

硅钢

冲压+叠铆

绕组线圈

线径0.1-0.3mm

铜漆包线

绕线

绝缘漆

厚度0.01-0.03mm

聚酯/聚酰胺

浸渍

槽绝缘纸

厚度0.1-0.2mm

聚酯薄膜

冲压成形

转子组件​

永磁体

尺寸依设计

钕铁硼

烧结/粘结

磁极数

4-12极

磁化方向

充磁

转轴

直径2-4mm

不锈钢

精密磨削

轴承

内径匹配转轴

钢+保持架

精密加工

驱动电路​

霍尔传感器

尺寸2×2mm

GaAs/InSb

半导体工艺

驱动IC

尺寸3×3mm

硅

CMOS工艺

保护元件

贴片元件

各种

SMT

导体结构​

单丝直径

0.08-0.2mm

无氧铜

拉丝

绞合结构

7/0.1, 19/0.08

绞合

绞合节距

导体外径

公差±0.02mm

尺寸控制

拉丝模具

绝缘层​

绝缘材料

PVC, PE, PP

挤塑

介电强度

绝缘厚度

0.2-0.5mm

挤塑模具

耐压等级

颜色母料

各种颜色

混合挤塑

识别编码

屏蔽层​

编织屏蔽

覆盖率>85%

镀锡铜丝

编织

铝箔屏蔽

厚度0.02-0.05mm

铝箔+聚酯膜

纵包

排扰线

直径0.1-0.2mm

镀锡铜丝

平行放置

外护套​

护套材料

PVC, PUR, TPE

挤塑

耐磨, 阻燃

护套厚度

0.3-0.8mm

挤塑模具

机械保护

表面处理

光滑/纹路

挤塑模具

手感, 耐磨

压接结构​

导体压接区

尺寸匹配线径

铜合金

冲压成形

绝缘压接区

尺寸匹配绝缘外径

抗应力松弛

冲压成形

压接翼

形状设计

材料弹性

冲压

压接齿

高度0.1-0.3mm

锋利度控制

冲压

接触部分​

接触簧片

厚度0.2-0.4mm

铍铜

冲压+成形

接触点

半径0.1-0.3mm

Au镀层

选择性电镀

导向斜面

角度30-45°

冲压成形

便于插合

过渡部分​

应力释放

圆弧过渡

结构设计

冲压

截面渐变

平稳过渡

模具设计

冲压

芯片结构​

外延层

厚度5-10μm

GaN, AlGaInP

MOCVD

量子阱

厚度2-10nm

InGaN, AlGaInP

外延生长

电流扩展层

厚度0.1-0.3μm

ITO, Ni/Au

溅射/蒸镀

电极结构

尺寸依设计

Cr/Pt/Au

光刻+蒸镀

封装结构​

引线框架

厚度0.2-0.3mm

铁镀银

冲压+电镀

粘结材料

厚度10-20μm

Ag环氧树脂

点胶+固化

金线键合

直径25-30μm

Au

热超声键合

封装树脂

折射率1.5-1.6

环氧/硅树脂

注塑/点胶

荧光粉层

厚度50-150μm

YAG:Ce, 硅酸盐

涂覆/共混

透镜结构

形状依设计

环氧/硅树脂

模具成型

陶瓷插芯​

外径

2.5mm/1.25mm

ZrO₂, Al₂O₃

注射成型+烧结

内孔直径

126±1μm(单模)

精密加工

内孔研磨

同心度

<0.5μm

研磨加工

研磨工艺

端面形状

PC, UPC, APC

研磨抛光

研磨参数

光纤固定​

粘合剂

紫外/热固化

环氧树脂

点胶固化

应力消除

弹簧/热缩管

结构设计

组装

连接器外壳​

外壳材料

Zn合金, 塑料

压铸/注塑

机械保护

锁紧机构

SC, LC, MPO

结构设计

注塑/冲压

对准结构

导向槽/销

精密加工

注塑模具

热敏电阻​

陶瓷基体

尺寸依封装

Mn-Ni-Co-O

烧结

内电极

厚度5-10μm

Pt浆料

印刷+烧结

外电极

厚度20-50μm

Ag浆料

浸涂+烧结

保护涂层

厚度50-100μm

玻璃釉

涂覆+烧结

热电偶​

热电偶丝

直径0.1-1mm

K型, T型等

拉丝

测量结

焊接点

相同材料

焊接

绝缘套管

MgO, Al₂O₃

填充+拉拔

电气绝缘

保护套管

不锈钢, 陶瓷

机械加工

机械/化学保护

IC温度传感器​

传感元件

晶体管结

硅

CMOS工艺

ADC电路

尺寸依设计

硅

CMOS工艺

接口电路

I2C, SPI

硅

CMOS工艺

封装

SOIC, DFN

塑料/陶瓷

注塑/封装

Level 0: 纳米级​

1-100nm

晶体管, 互连

数十亿-数百亿

芯片内部结构

掺杂区域

数十亿

PN结, 阱区

介质层

数十层

栅氧, IMD, ILD

Level 1: 亚微米级​

0.1-1μm

金属线, 通孔

数千万-数亿

芯片互连

接触孔

数百万-数千万

芯片连接

电容介质层

数千-数万层

MLCC内部

Level 2: 微米级​

1-100μm

焊球, 凸点

数千-数万

封装连接

导线键合

数百-数千

芯片-封装连接

贴片元件

数千-数万

电阻电容电感

光纤, 微结构

数十-数百

光学元件

Level 3: 毫米级​

0.1-10mm

芯片, 封装

数十-数百

集成电路

连接器, 插座

数十-数百

电气连接

螺丝, 紧固件

数百-数千

机械连接

线缆, 线束

数十-数百

电气连接

Level 4: 厘米级​

1-50cm

PCB, 散热器

数十

电路板, 散热

风扇, 电源

数个-数十

散热, 供电

硬盘, SSD

数个-数十

存储设备

机箱部件

数十

结构支撑

Level 5: 系统级​

10-100cm

完整模块

数个-数十

可替换模块

整机系统

1

完整服务器

总计零件数​

所有级别​

总计​

>10^10个独立零件​

包含纳米级结构

晶体管级​

FinFET晶体管

7-10nm栅长

基本开关单元

200-400亿个

硅FinFET

每核约5-10亿

SRAM单元(6T)

0.03μm²/单元

缓存存储

100-200亿个

高密度SRAM

L1/L2/L3缓存

逻辑门(NAND, NOR等)

组合电路

逻辑运算

数十亿个

CMOS

各种门电路

触发器(Flip-Flop)

时序电路

状态存储

数亿个

CMOS

寄存器文件等

锁存器(Latch)

时序电路

临时存储

数亿个

CMOS

流水线寄存器

互连级​

局域互连(M1-M3)

20-30nm线宽

晶体管间连接

数千米总长

Cu+低k介质

7-13层金属

中间互连(M4-M8)

30-50nm线宽

模块内连接

数千米总长

Cu+低k介质

全局互连

全局互连(M9-M13)

100-300nm线宽

芯片全局连接

数百米总长

Cu+低k介质

电源分布

通孔(Via)

直径20-50nm

层间垂直连接

数百亿个

W/Cu

各层间连接

接触孔(Contact)

直径20-30nm

晶体管到M1连接

数百亿个

W

晶体管接触

功能模块​

计算核心

面积5-10mm²

执行单元

8-40个

多核集成

包括ALU/FPU

缓存Bank

2-4mm²/Bank

数据缓存

20-60个

SRAM阵列

分Bank管理

内存控制器

3-5mm²

内存接口

2-8个

混合信号

DDR4/5控制器

PCIe控制器

2-3mm²

扩展接口

3-6个

SerDes

PCIe 4.0/5.0

互连网格

10-20mm²

核间连接

1个

片上网络

Mesh/Ring

电源管理单元

1-2mm²

电压调节

多个

混合信号

DVFS控制

时钟分布网络

遍布芯片

时钟分配

1个

树状结构

时钟网格

温度传感器

0.01mm²/个

温度监测

50-100个

二极管

热监控

PLL锁相环

0.1-0.2mm²

时钟生成

10-20个

模拟电路

频率合成

SerDes通道

0.05mm²/通道

高速串行

50-100个

混合信号

28Gbps+

特殊结构​

深阱隔离

深度5-10μm

噪声隔离

数千个区域

离子注入

隔离不同模块

衬底偏压阱

特殊掺杂

漏电控制

多个区域

离子注入

动态偏压

去耦电容阵列

分布式

电源滤波

数百万个

MIM电容

电源完整性

ESD保护器件

I/O接口

静电保护

数千个

二极管/SCR

输入输出保护

熔丝阵列

特殊区域

芯片配置

数万个

多晶硅熔丝

修复/配置

eFuse

特殊结构

一次性编程

数千个

电编程熔丝

安全/配置

存储单元​

DRAM单元(1T1C)

0.002-0.004μm²

数据存储

80-160亿个

硅沟道电容

16Gb芯片

晶体管(T)

沟道长度15-20nm

存储管

80-160亿个

硅MOSFET

选择管

电容(C)

高度1-2μm

电荷存储

80-160亿个

ZrO₂/HfO₂

深沟/柱状电容

位线(BL)

宽度30-50nm

数据读出线

数千条

铜/铝

垂直方向

字线(WL)

宽度30-50nm

行选择线

数万条

铜/铝

水平方向

外围电路​

行解码器

面积比例

行地址解码

多个模块

CMOS

树状解码

列解码器

面积比例

列地址解码

多个模块

CMOS

多路选择

感放电路

每列一个

信号放大

数千个

差分放大器

灵敏放大器

写入驱动

每列一个